工欲善其事 必先利其器
工艺和设备是芯片研发的基础。
九峰山实验室瞄准世界微纳加工领域技术前沿，致力于成为科研与产业的连接中心，以基础性、前瞻性、特色性的原创成果和优质资源支持产业界解决关键工艺难题，寻求关键节点技术突破。
九峰山实验室提供中立、开放的创新工艺研发平台，在工艺开发的早期阶段为合作伙伴提供可靠的基础设施。
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九峰山实验室建设有9000m²的洁净室，其中百级洁净室面积6000m²，每立方米空气中粒径大于等于0.3微米的粒子数量不超过100颗。
恒温恒湿:温度偏差不超过0.5度，湿度偏差不超过5%;
防震:防微震等级VC-D，水平与垂直震动小于7.5微米/秒;
纯度保障:洁净室使用高纯管线，生产材料纯度达到5N以上。
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实验室拥有各类设备超过250台/套，拥有4/6/8 inch工艺线，包括6/8 inch SiC & GaN、4/6 inch lnP & GaAs器件工艺线，及布局第四代半导体材料的工艺能力。
高自动化:工业级设备配置，工艺过程全自动控制;
高兼容性:4/6/8 inch工艺平台全兼容，第三代半导体材料设备全覆盖，可扩展第四代半导体设备能力;
高配置:主设备供应商均为国际Top级，国产优秀设备提前布局，对标国际一线Fab设备配置。
以工艺基础为整个半导体生态系统服务，在下一代工艺技术上进行世界领先的研究。
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8寸工艺线
- — 外延工艺
- GaN-on-Si外延工艺
- Si/Ge外延工艺
- — 光刻工艺
- Stepper I-line（IR对准）
- — 薄膜工艺
- 多腔特殊金属材料溅射
- 键合能力(Fusion/Hybrid Bonding)
- — 刻蚀工艺
- 介质刻蚀/深硅刻蚀/金属刻蚀
- — 湿法工艺
- 有机/无机清洗
- PR Strip / Metal Lift-off
- Plating 工艺
- — 研磨/抛光/减薄/切割
硅基化合物集成/微系统异质集成/8'' GaN-on-Si/ 8''SiC
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6寸工艺线
- — 外延工艺
- GaN-on-Si外延工艺
- SiC外延工艺
- GaAs外延工艺
- — 光刻工艺
- Stepper I-line（IR对准）
- 电子束光刻(最小精度10nm)
- — 薄膜工艺
- 高温离子注入
- 炉管及退火工艺
- 临时键合及解键合能力
- — 刻蚀工艺
- 化合物刻蚀/介质刻蚀/金属刻蚀
- — 湿法工艺
- 有机/无机清洗
- PR Strip / Metal Lift-off
- Plating 工艺
- — 研磨/抛光/减薄/切割
GaAs/6'' SiC/GaN-on-SiC/TFLN
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4寸工艺线
- — 外延工艺
- InP外延工艺
- — 光刻工艺
- 双面对准接触式光刻机
- — 薄膜工艺
- 介质/金属/退火工艺
- 电子束蒸发工艺
- — 刻蚀工艺
- 化合物刻蚀/介质刻蚀/金属刻蚀
- — 湿法工艺
- 有机/无机清洗
- PR Strip / Metal Lift-off
- — 研磨/抛光/减薄/切割
4''及以下 III-V族/二维材料/XOX集成工艺研究
