湿法工艺包括湿法清洗、电镀工艺以及化学机械平坦化(CMP)工艺。
湿法清洗是指利用各种化学试剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。
电镀是利用电解原理使金属或合金沉积在基底表面，以形成均匀、致密、结合力良好的金属层的过程。与CVD、PVD等薄膜沉积技术相比较,电镀可以利用金属的电解沉积原理来精确复制某些复杂或特殊形状的器件。
CMP工艺是一种通过化学反应以及物理机械作用对wafer表面进行全局平坦化的工艺。其原理为在一定压力和转速的条件下，通过研磨液的作用对wafer表面进行抛光，达到去除氧化层或者金属层的目的。随着极大规模集成电路的发展，线宽越来越小，各种制程对wafer表明全局平坦化程度的要求越来越高，CMP广泛应用于双大马士革铜布线、层间介质平坦化以及先进封装TSV等领域。
