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化合物半导体是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的、具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的材料。对于智能化和能源变革浪潮席卷下的全球半导体产业而言,硅基半导体性能已日渐接近物理极限,化合物半导体是下一个待开发的突破口。碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石(C)、AlN(氮化铝)等新兴的化合物半导体材料因为自身具备的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性,有望在应用端有突破性表现。
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