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九峰山实验室再获国家自然科学基金项目
2025-08-29
8月27日,国家自然科学基金委员会正式公布2025年度国家自然科学基金项目评审结果。九峰山实验室工艺中心胡浩博士申报的“具有非易失可调谐性的钛酸钡硅基复合微环调制器研究”项目荣获面上项目资助。
从世界到九峰山、从课堂到实践,2025JFS实习生成长记录
2025-08-28
穿上无尘服,进入百级洁净室,直面真实的半导体研发生产环境——这是九峰山实验室实习生的必修课。在这里,他们面对的不再是课本里的知识点,而是真实的产业需求,他们开始像真正的工程师或研发人员那样思考问题。 2025年,九峰山实验室共迎来124名实习生,其中包括来自新加坡国立大学、加州大学(UCSB)、香港大学等海外高校的学子,以及国内高校的百余名本硕博及高职生。这支融合海内外视野与扎实专业功底的新生力量,已全面融入实验室科研与技术攻关一线,展现出蓬勃的创新活力。
自主突破,九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
2025-08-19
九峰山实验室近日在磷化铟(InP)材料领域取得重要技术突破,成功开发出6英寸磷化铟(InP)基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺,关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用,为光电子器件产业化发展提供重要支撑。
九峰山实验室新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品发布!
2025-08-06
九峰山实验室(JFS Laboratory)推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品,旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求,进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。
智能时代,寻觅人文之“味”,李培根院士关于AI应用的哲思
2025-07-26
本期《牛顿书房》邀请到的嘉宾是李培根院士,他以其独特的跨学科视野,带领我们靠近哲学之门,游走于技术创新与哲学典籍之间,重新审视那些关于感知、趣味与创造的永恒命题。“智能时代,我们更加需要一些Taste”。这不仅仅是一场关于技术的讨论,更是一次重新认识“何以为人”的思想旅程。
丁薛祥在湖北调研时考察九峰山实验室
2025-05-16
新华社武汉5月15日电 5月12日至14日,中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥在湖北调研。他强调,要认真学习贯彻习近平总书记重要讲话精神,加快推进高水平科技自立自强,建设现代化产业体系,汇聚起高质量发展的强劲动能。
圆满收官!JFSC&CSE期待与您2026再会!
2025-04-29
2025JFSC&CSE圆满收官,感谢每位朋友的支持。2026,不见不散!
GaN技术进展③|GaN颠覆应用场景,20米远距无线传输能量
2025-03-22
近日,九峰山实验室基于自主研发的氮化镓(GaN)器件,成功构建起动态远距微波无线传能系统,并在20米范围内实现对无人机的动态无线供能示范验证。该技术突破了传统无线充电的距离限制,解决了接收端功率波动与能量转换效率低的难题,为物流、农业、工业4.0、智能家居等领域提供了创新性技术储备,标志着我国在高频高功率无线传能领域的探索迈入新阶段。
GaN技术进展②|全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台
2025-03-22
近日,九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套(PDK),性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案,其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信,能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求,推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。
GaN技术进展①|国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底
2025-03-22
近日,九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓(N-polar GaNOI)高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面越级提升,为下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术发展提供有力支撑。
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