文章摘要：
免掺杂载流子选择性接触有很大潜力应用于晶体硅太阳电池。它优化了载流子从轻掺杂的硅衬底中收集载流子的效率，且避免了因重掺杂引起的效率损失，从而提高电池的效率。然而，这些选择性接触材料有限的热稳定性和可靠性，限制了它们的工业应用。本文采用热稳定的碳化钛作为一种新型的电子选择性接触材料，并将其应用于n型晶体硅太阳能电池。
我们获得了非常低的接触电阻率（4.24 mΩ cm2），并大幅降低了n型晶体硅太阳电池的接触电阻（0.2 Ω），同时把电池效率提高了2.6%，最优电池的转换效率达到17.37%。基于碳化硅电子选择性传输结构的n型晶体硅电池，在经历了光伏产线标准的770℃的热烧结工艺以及光辐照、湿热、快速温湿度应力老化等老化实验后，仍能保持91%的最初器件性能，展现出高的热稳定性和可靠性。本工作首次将金属碳化物作为一种电子选择性接触材料并应用于晶体硅太阳能电池，展示了一种热稳定性和可靠性的电子选择性接触。可以忍受目前工业电池的最高工艺温度。我们的工作提供了一种非常有潜力的避免使用重掺杂方式而获得高热稳定性和高可靠性的高效晶体硅太阳能电池的方法。
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