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分析服务

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微观分析
化学分析
材料分析
失效分析

九峰山实验室提供各种半导体材料、器件和芯片的失效分析、物理结构分析、材料分析、化学分析等综合分析与表征服务。

— 微观分析

针对于晶圆、薄膜和器件的晶体结构、缺陷和界面的解析，提供分辨率范围从埃(Å)、纳米(nm)、微米(μm)到毫米(mm)尺度的分析服务。

样品制备

双束聚焦离子束系统(FIB)

机械打磨、抛光(Grinding/Polishing)

电子束蒸发镀膜(E-beam Evaporation)

等离子刻蚀(RIE)
表面分析

X射线光电子能谱(XPS)

二次离子质谱仪(SIMS)

原子力显微技术(AFM)

光致发光(PL)

扫描电子显微镜(SEM)

阴极发光(CL)
晶体结构分析

X-射线衍射(XRD)

选区电子衍射(SAED)

背散射电子衍射(EBSD)

高分辨透射电镜(HRTEM)

会聚束电子衍射(CBED)
界面分析

扫描透射电子显微镜-环形暗场像(STEM-ADF)

扫描透射电子显微镜-环形明场像(STEM-ABF)

扫描透射电子显微镜-电子能量损失谱（STEM-EELS）

扫描透射电子显微镜-能量色散X射线谱（STEM-EDXS）
成分分析

X射线光电子能谱(XPS)

俄歇电子能谱(AES)

电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)

X射线荧光光谱(XRF)

— 化学分析

满足晶圆厂化学分析的要求，完成晶圆厂的化学用品和超纯水的微痕元素、晶圆表面金属污染、和生产环境空气污染的监测。

电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)

热脱附/气相色谱-质谱仪(TD/GC-MS)

离子层析仪(IC)

— 材料分析

满足材料的开发与验证需求，从分子水平提供工业和科研领域材料的化学键、化学组分和晶体结构等信息。

样品制备

双束聚焦离子束系统(Dual Beam FIB)

机械打磨、抛光(Grinding/Polishing)

电子束蒸发镀膜(E-beam Evaporation)、等离子刻蚀(RIE)
成像分析

光学显微成像(OM)

扫描电子显微镜(SEM)

拉曼光谱(Raman)

双束聚焦离子束系统(FIB)

原子力显微镜(AFM)

光致发光光谱(PL)

透射电子显微镜技术(TEM)
元素分析

X射线光电子能谱(XPS)

电子能量损失谱(EELS)

傅里叶变换红外光谱(FTIR)

俄歇电子能谱(AES)

动态二次离子质谱(D-SIMS)

能量色散X射线谱(EDS)

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)
物理特性分析

拉曼光谱(Raman)

X射线衍射(XRD)

光致发光光谱(PL)

接触与非接触CV测试(CV)

阴极荧光光谱(CL)

霍尔测试(Hall)

深能级瞬态谱(DLST)

少子寿命测试(Lifetime)

傅里叶变换红外光谱(FTIR)

— 失效分析

针对晶圆制造、封装、板载及研发相关的失效现象，提供全面的电性分析和物性分析，满足全产业链的失效分析需求并提出改善建议。

非破坏性分析

光学显微分析(OM inspection)

电性测量(Curve tracer)

热发射显微技术(Thermal EMMI)

扫描声波显微分析(CSAM)

X射线显微技术(X-Ray Microscope)
破坏性分析

芯片激光开封/化学开封(Decapsulation)

失效定位分析(OBIRCH/EMMI/TIVA)

反应离子刻蚀(RIE)

芯片去层(Delayering)

扫描电子显微分析(SEM inspection)

纳米探针分析(Nano-Prober)

截面样品/TEM样品制备

元素分析(EDS)

专业技术: 先进化合物工艺; 先进检测技术; 光电融合集成技术; 新型功率器件技术; 更多技术

实验室服务: 九峰山研究; 检测分析服务; 工艺开发; 解决方案; 创新孵化; 更多服务

产业带动: 化合物半导体; 下一代电力电子; 光电子产业; 生命与科学健康; 无线互联与感知; 智能系统; 更多应用

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