1月4日，湖北省科技创新大会在武汉隆重举行，2025年度湖北省科学技术奖正式揭晓。作为第一完成单位，九峰山实验室牵头的2项科技成果获奖：
“面向先进制程开发的超分辨光刻配套技术及应用”荣获2025年度湖北省科学技术进步奖二等奖；
“功率芯片高密度金属互联关键技术与装备及应用”荣获2025年度湖北省科学技术进步奖三等奖。
同时，实验室研发的“100nm硅基氮化镓射频集成技术”成功入选湖北省“61020”科技创新成果体系十大关键核心技术。
湖北省科学技术进步奖二等奖
获奖项目
面向先进制程开发的超分辨光刻配套技术及应用
项目主要完成人代表：向诗力博士、卢双赞博士
该项目由九峰山实验室牵头，与多家单位共同合作完成，立足于国内半导体开发环境，以新材料与新技术手段突破中低端光刻装备单次曝光的物理分辨率限制，发展低成本、高效率、高兼容性的先进制程开发关键技术，为高端半导体芯片的制造提供解决方案，有力支撑产业链自主可控。
湖北省科学技术进步奖三等奖
获奖项目
功率芯片高密度金属互联关键技术与装备及应用
项目主要完成人代表赵波博士、张洁琼博士，以及关键装备成果
该项目由九峰山实验室牵头，与多家单位共同合作完成，突破了功率芯片高密度金属互联的关键技术难题，对相应关键装备进行开发与集成，形成了具有自主知识产权的成套技术体系，提升了我国在功率半导体领域的自主创新能力。为推动上游设备与工艺协同发展作出了重要贡献。
“61020”科技创新成果
“100nm硅基氮化镓射频集成技术”展出
大会当天，湖北省2025年度“61020”科技创新成果集中亮相。在湖北省首次发布的“61020”科技创新成果体系中，九峰山实验室研发的“100nm硅基氮化镓射频集成技术” 成功入选 10项关键核心技术，成为全省半导体领域代表性突破。
项目团队代表
该项成果是国内首个商业应用的100nm栅长硅基氮化镓工艺设计套件。目前已建成自主可控的硅基氮化镓工艺平台，实现从芯片器件工艺到设计“工具”全链条打通。该技术具备高频、高功率、高效率、低成本以及大尺寸兼容等优势，已在卫星通信等关键领域开展应用，未来有望为新一代信息技术发展提供有力支撑。
据悉，本次科技创新大会共授予312项（人）科学技术奖励。其中，围绕湖北省 “51020”先进制造业产业集群涌现出了一批重点成果，充分反映了近年来湖北提升支点创新策源力，打造具有全国影响力的科技创新高地取得的成就。未来，九峰山实验室将始终坚持“四个面向”，深耕化合物半导体前沿领域关键技术，推动科技创新与产业创新深度融合，为湖北省建设全国科技创新高地贡献力量。
信息来源：湖北省人民政府门户网站