近日，九峰山实验室功率器件研究团队凭借“大功率碳化硅沟槽器件关键技术”项目，在2025年（第二届）“武创源”颠覆性技术创新大赛中荣获佳绩，获得武汉市科技创新局拨付的50万专项奖励。该项目聚焦第三代半导体核心技术，为我国高性能功率器件发展提供了创新解决方案。
九峰山实验室功率器件研究团队
随着新能源汽车等战略新兴产业的蓬勃发展，市场对功率半导体器件提出了更高要求——更小尺寸、更大功率、更低损耗。碳化硅沟槽器件作为下一代功率半导体的关键技术，能够显著提升器件能效与功率密度，正成为产业升级的核心突破口。
九峰山实验室功率器件研究团队通过创新性的沟槽结构设计和工艺优化，成功开发出具有完全自主知识产权的碳化硅沟槽器件及全套工艺。这项突破不仅展现了团队的创新能力，更为实现国产高性能碳化硅芯片自主可控奠定了坚实基础。目前，团队已获得40余项国家发明专利授权，构建了完善的知识产权保护体系。九峰山实验室从成立之初就布局新型功率器件技术方向，此次获奖将加速该技术从实验室走向产业化，为项目后续研发注入新动能。
2025年（第二届）“武创源”颠覆性技术创新大赛是武汉市科技创新局、武汉产业创新发展研究院联合举办，致力于发掘颠覆性科技创新成果，以颠覆性技术催生新产业、新模式、新动能，发展新质生产力，加快推进武汉具有全国影响力的科技创新中心建设。