JFS新闻-湖北九峰山实验室

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GaN技术进展③｜GaN颠覆应用场景，20米远距无线传输能量2025-03-22近日，九峰山实验室基于自主研发的氮化镓（GaN）器件，成功构建起动态远距微波无线传能系统，并在20米范围内实现对无人机的动态无线供能示范验证。该技术突破了传统无线充电的距离限制，解决了接收端功率波动与能量转换效率低的难题，为物流、农业、工业4.0、智能家居等领域提供了创新性技术储备，标志着我国在高频高功率无线传能领域的探索迈入新阶段。
GaN技术进展②｜全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台2025-03-22近日，九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。
GaN技术进展①｜国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底2025-03-22近日，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面越级提升，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术发展提供有力支撑。
GaN技术进展｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布2025-03-22作为第三代化合物半导体材料的代表，氮化镓（GaN）凭借其优异的物理特性和广阔的应用前景，正在全球范围内掀起一场产业技术革命。九峰山实验室成立之初就已超前布局以氮化镓材料为核心的研究，现已全方位从材料、器件到产业应用取得一系列突破性成果。
九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会期待与您2025再会！2024-05-17
4月，武汉见！2024中国国际化合物半导体产业博览会定档！2024-02-284月9-11日，2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会将在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。
辜胜阻调研九峰山实验室2024-01-301月29日，十三届全国政协副主席、著名经济学家辜胜阻调研九峰山实验室，考察九峰山实验室化合物半导体研发和创新工作，调研实验室科研平台、工艺、检测平台，了解湖北省新型研发机构建设情况。
王忠林出席湖北九峰山实验室理事会会议2023-12-05王忠林出席湖北九峰山实验室理事会会议加快抢占创新链产业链价值链制高点打造全球化合物半导体发展“灯塔”
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈2023-12-012023年11月，九峰山实验室基于氮化镓（GaN）材料的太赫兹肖特基二极管（SBD）研制成功。经验证，该器件性能已达到国际前沿水平。肖特基二极管（SBD）技术是太赫兹领域应用广泛的核心技术，此项成果打破了制约氮化镓SBD器件频率提升的行业瓶颈，为实现高频、高效的倍频电路，以及小型化、轻量化的太赫兹源奠定重要器件基础。
九峰山实验室联合香港城市大学启动招收2024级博士研究生2023-11-16

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