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博士研究生:基于先进功率半导体技术的研究

博士 - 华中科技大学&九峰山实验室化合物半导体联合研究院

 

我们正在寻找对化合物半导体领域研究有浓厚兴趣的优秀人员。您将在九峰山实验室国家研究项目以及同一领域的国际合作中攻读博士学位。此博士课程由九峰山实验室和华中科技大学合作,最终录用将由华中科技大学决定,九峰山实验室将为此博士研究过程提供补助和研究环境。

 

申请入口



九峰山实验室功率研究组

JFS功率研究小组与全球众多大学和研究中心合作,并与业界龙头企业共同开发先进技术。九峰山实验室研究中心旨在将国内化合物半导体研发能力提升到一个新的水平,实现化合物半导体技术领先。

 

关于基于先进功率半导体技术的研究

该项技术研发面向绿色能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网等应用场景,针对核心的功率半导体芯片及器件进行研究开发工作。实验室目前致力于SiC电力电子器件与封装、高频GaN功率器件和电路、新型超宽禁带半导体功率器件等方面的研究探索。

主要研究方向:SiC 多形态沟槽工艺技术、GaN-IC集成技术、新型超宽禁带半导体功率器件等。

博士期间

  • 在科研专家和高级工程师的协助下,您将在大约4年的时间内准备博士论文。

  • 您将在功率半导体技术领域进行前沿研究。

  • 您可以在国际会议和科学期刊上发表和展示结果。

  • 您可以通过考虑具体的案例并与该领域的参与者讨论来验证您的研究。

  • 您可以与JFS的同事以及其他团队进行紧密协作。

 

我们能为您做什么

我们提供具有挑战性、充满活力的科研环境及行业先进的硬件科研平台,您可以在解决具有明确社会和经济价值的科研创新中做出贡献。您将有可能在未来获得有竞争力的薪酬和获得博士学位,华中科技大学和九峰山实验室将一起为您提供4年左右的博士学位科研经费资助。

您需要的

  • 拥有光电子科学、微电子科学、物理学、化学、材料学、机械学等领域工程硕士学位,对化合物半导体领域有浓厚的兴趣。

  • 有功率半导体技术领域等相关科研经历。

  • 您有强烈的责任感,能够致力于不同研究项目设定的时间和里程碑。

  • 您具有团队合作精神,具有很强的沟通能力。

  • 良好的英语知识(口语和书面)。

如果您有意攻读此博士课程

该博士职位当前仍有效,您可以通过zhaopin@jfslab.com.cn发送电子邮件给HR尽快申请。您的申请材料需要包括

  • 您的简历

  • 自我描述(表明您的技术和研究背景/兴趣以及任何的技独特技能)

  • 您的文凭和文凭补充的材料(包括所有课程的成绩单)

 

 

 


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