×
扫描电子显微镜 Scanning Electron Microscope(SEM)
扫描电镜技术 (Scanning Electron Microscope,简称SEM)通过会聚电子束在样品表面进行栅格化扫描,并同步采集样品发出的二次电子、背散射电子或能量色散X射线信息,得到样品表面的立体形貌、元素分布图像。结合阴极发光技术,SEM可用于分析材料表面的二维元素分布,特别是稀土材料。搭载背散射衍射电子探测器,SEM可以用于研究晶体材料的取向。在半导体领域,运用电压衬度(Voltage Contrast, VC)像技术,SEM可以表征材料的掺杂分布(doping profile)。
用途
表面形貌分析,纳米级空间分辨率;
表面成分分析;
晶体取向分析。
技术特点
  • 空间分辨率:≤ 0.6 nm(15 kV);

  • 加速电压:0.5 kV ~ 30 kV,着陆电压:0.01 – 20 kV;

  • 电子枪发射源半径小于5 nm,电子束能量分散小于0.3 eV;

  • 操作简易且分析快速。

分享与关注
关注九峰山实验室微信公众号,获取新鲜资讯
Copyright © 九峰山实验室      备案号:鄂ICP备2021010535号-1   地址:武汉市东湖高新技术开发区九龙湖街9号   邮政编码:430078