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X射线显微技术 X-Ray Microscope
X射线显微技术(X-Ray Microscope)可以用来观察材料和器件内部的微观结构和图形。它是一种无损亚微米级分辨率的显微技术,其最高空间分辨率高达500nm,可在不同工作距离下对不同类型、不同尺寸的样品实现高分辨率2D/3D成像。在电子元器件的分析方面,X射线显微技术可以获取完整芯片或者封装器件的非破坏性3D形貌,用于缺陷定位和表征,和对金线键合、BGA焊球等结构做失效分析。在材料科学方面,X射线显微技术可以可视化表征复合材料内部增强体,三维无损表征电池的内部构造与缺陷,分析断裂样品内部的裂纹分布、尺寸、体积分数,以及分析材料在加载条件下的断裂行为等。
用途
封装芯片缺陷定位
亚微米级2D/3D结构分析
技术特点
  • 高能量微聚焦 X 射线源:30-160 kV

  • 空间分辨率:0.5 μm

  • 最小可达立体像素:0.5 μm

  • 样品台可承载25 kg,最大样品尺寸可以达到300 mm