飞行时间二次离子质谱
Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry（TOF-SIMS）
飞行时间二次离子质谱（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，简称TOF-SIMS）是一种基于二次离子的材料元素成分分析技术。TOF-SIMS技术采用离子轰击材料表面，根据产生的不同质量的二次离子飞行到探测器的时间差异来分辨和统计二次离子。TOF-SIMS技术以此原理来测定材料中各种元素的类型和组分。TOF-SIMS可以探测出样品中ppm ~ ppb量级的元素含量，可用于半导体或者其它材料的表面和深度剖面的元素成分分析。
- 用途
- 半导体掺杂剂与杂质的深度剖析；
- 薄膜的成份及杂质测定（金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族）；
- 超薄薄膜或者浅离子注入（Ion implantation）的超高深度辨析率剖析；
- 硅材料的整体分析（包含B, C, O,以及N等元素）；
- 离子注入（Ion implantation）工艺的高精度分析等多种应用。
