动态二次离子质谱
Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry（D-SIMS）
动态二次离子质谱（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，简称D-SIMS）是一种基于离子源的固体材料的元素组分分析技术。它用离子束将样品表面的元素溅射出来，通过质谱探测器收集产生的二次离子，从而检测出样品中的元素含量。D-SIMS可以高精度、高分辨率地定量探测样品表面以及深度抛面的掺杂剂（和其它杂质）的浓度及浓度空间分布情况。
- 用途
- 薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、碳化硅 、III-V族、II-V族）；
- 硅材料的整体分析（包含B, C, O,以及N等元素）；
- 半导体掺杂剂与杂质的深度剖析；
- 超薄薄膜或者浅离子注入（Ion implantation）的超高深度辨析率剖析。
