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俄歇电子能谱 Auger electron spectroscopy(AES)
俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy,简称AES),是一种利用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应、通过检测俄歇电子的能量和强度来高灵敏度检测材料表面(3-10 nm)化学成分和结构信息的技术。这种技术可以探测半导体晶圆、外延薄膜或者其它材料的浅层表面的常规元素组分以及异物或者污染物的化学元素成分。
用途
半导体(或其它材料)表面或者薄膜的定性、半定量和定量元素分析;
半导体器件或者芯片颗粒上的小面积深度组分剖析;
半导体器件亚微米区域材料表面或界面的异物和污染物分析;
电子器件结构或者多层薄膜中埋藏的缺陷识别以及失效原因分析;
薄膜的完整性、均匀性及杂质分析;
冶金或其它材料染色或腐蚀区域元素的二位分布;
技术特点
  • 分析元素广(锂-铀),对轻元素敏感;

  • 分析层薄,表面灵敏度高。AES的采样深度<10 nm,比XPS还要浅,更适合于表面元素定性和定量分析;

  • 分析区域小,≤50 nm区域内成分变化的分析。由于电子束束斑非常小,AES具有很高的空间分辨率;

  • 可获得元素化学态的信息;

  • 定量分析精度适中,在0.1~1 at%范围;

  • 具有元素深度分布分析的能力,需配合离子束剥离技术。