一台国产刻蚀机做出来了,参数都达标,却迟迟难以进入产线。并非设备存在问题,而是缺少一份有公信力的验证报告,证明它能在产线上跑通。这是国内半导体设备、材料厂商的真实处境。

近日,九峰山实验室正式上线国产验证发布平台。所有在九峰山实验室化合物半导体中试平台完成的验证成果将陆续在平台集中公示,实现验证报告公开可查、验证资质透明可溯,助力产业对接高效落地。
作为国内唯一可实现化合物半导体国产设备、材料、零部件全链条验证的国家级中试平台,截至2026年上半年,九峰山实验室已完成200余台套国产设备、240余种材料及160余种零部件的量产级验证,覆盖半导体制造全工艺环节。发布平台上线后,验证信息不再停留在平台内部,而是成为行业可查询的公开资源,为国产设备材料的产线导入提供权威依据。

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01
工艺设备验证
7大体系覆盖芯片制造全流程
依托九峰山实验室中试平台产业级验证条件,工艺设备的验证范围覆盖光刻、薄膜、刻蚀、湿法、键合、外延、研抛、量测、检测等芯片制造全流程,验证维度从基础功能延伸至机台稳定性、工艺窗口及参数一致性等。
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光刻体系:平台已完成电子束光刻机、I-Line 光刻机、涂胶显影机等关键设备的验证。重点考核分辨率、套刻精度、线宽粗糙度等核心指标。
2
外延体系:平台已完成金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等关键设备验证,重点考核外延层生长速率、均匀性、掺杂浓度等核心指标。
3
刻蚀体系:平台已完成金属刻蚀机、介质刻蚀机等关键设备验证,重点考核刻蚀速率、均匀性、选择比等核心指标。
4
薄膜体系:平台已完成物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入机等关键设备验证,重点考核主要考核薄膜沉积速率、均匀性、能量精度等核心指标。
5
湿法体系:平台已完成清洗机、电镀机等关键设备验证,重点考核颗粒去除效率、干燥效果、电镀层均匀性等核心指标。
6
研抛体系:平台已完成激光隐切、研磨、抛光等关键设备验证,重点考核开槽精度、开槽热影响宽度、研磨精度等核心指标。
7
量测与检测体系:平台已完成薄膜厚度、膜应力、表面缺陷检测等关键设备验证,重点考核测试准确性、稳定性、缺陷检出率等核心指标
02
材料验证
240余种覆盖前后道工艺全场景
半导体材料直接影响芯片良率与工艺稳定。平台搭建对标量产产线的验证环境,所有验证均基于真实流片需求开展,帮助材料厂商快速定位性能短板,缩短迭代周期。目前已完成240余种材料的验证,覆盖光刻、湿法、薄膜、刻蚀、外延、研抛、键合、电镀等半导体前后道工艺场景。
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硅基及化合物晶圆:平台已完成硅(Si)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、铌酸锂(LN)、蓝宝石(Al₂O₃)等衬底及碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、磷化铟(InP)等外延片验证,可实现收集衬底及外延片流片WET、CP、FT良率等关键数据。
2
光刻胶:平台已完成主流国产光敏聚酰亚胺(PSPI)、I-Line/KrF光刻胶及配套试剂验证,并成功应用于研发及小批量中试项目。
3
电子特气:平台已完成50余种国产电子特气验证,覆盖刻蚀及薄膜工艺主流应用场景。
4
电子湿化学品体系:平台已完成各类铜(Cu)、镍(Ni)、锡银(SnAg)、金(Au)电镀液,化学机械抛光液(CMP Slurry)等50余种化学品验证
5
靶材及薄膜前驱体:平台已完成40余种各类金属及合金靶材,介质靶材、金属有机源(MO源)及前驱体等材料验证
03
零部件验证
上百类细分品类涵盖核心部件到通用配套
核心零部件是保障半导体设备长期稳定运行、维持工艺一致性的关键,也是当前国产化攻坚的重点方向。平台已建立从核心部件到通用配套件的多层级验证体系
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气/液体输送体系:平台已完成过滤器、气体流量控制器等部件验证20余项,主要验证过滤精度、析出物水平、气体流量控制精度等技术指标。
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真空控制体系:平台已完成真空泵、密封圈等零部件验证10余项,主要验证抽速、极限真空度、耐腐蚀性等技术指标。
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结构件:平台已完成刻蚀、薄膜、外延等核心工艺所需石英件、石墨件、陶瓷件、硅件等备件验证80余件。
4
刀具/磨轮:平台已完成刀具、磨轮等零部件验证,重点考核加工精度与表面质量、加工效率、寿命与稳定性等指标。
04
验证案例
设备案例:
国产金属有机化学气相沉积设备
金属有机化学气相沉积设备(MOCVD)是化合物半导体工艺制程的关键设备之一,主要用于成长外延薄膜。某款国产MOCVD在传统硅基晶圆厂验证通过,但尚未在化合物半导体产线进行验证。平台将其置于化合物半导体工艺线进行验证。验证结果表明:在化合物半导体产线,适用于6/8英寸的硅基/蓝宝石基/碳化硅基氮化镓外延工艺,可应用于功率器件、Micro-LED、射频器件等领域,该设备可实现化合物半导体先进器件对外延层组分、厚度及掺杂均匀性的高要求。


材料案例
国产Ga高纯金属源
Ga(镓)高纯金属源是分子束外延(MBE)工艺的关键材料之一。某款国产Ga源在实验室测试中纯度可达7N5(99.99995%),但尚未在产线条件下验证。平台将其应用于实际MBE外延工艺线,完成一整套套氮化镓(GaN)外延工艺流程。验证结果表明,在同等机台及工艺参数条件下,其外延表面粗糙度、杂质浓度及晶体质量等关键指标均达到国际同类产品水平。目前该产品已完成量产导入。


零部件案例
国产全氟化学品滤芯
化合物半导体生产中会涉及到各种强酸、强碱、极性有机溶剂等严苛药液过滤场景,这对化学品滤芯的耐温范围、承压能力、过滤精度等都有很高的要求。平台基于多元化的使用场景,将某款国产全氟化学品滤芯导入实际工艺线,验证结果表明:该产品具备厂务化学品供应柜的G3等级化学品过滤功能,可适用于有机/酸碱化学品。目前已上线使用3年6个月,颗粒析出、金属离子析出、滤芯压差等关键指标均无异常。


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关于国产验证平台
九峰山实验室化合物半导体中试平台作为首批国家级制造业中试平台中唯一的集成电路类平台,自成立以来一直秉持开放、共享的态度,从不同维度加强与国产厂商的交流与合作,并利用实验室中试平台技术资源,以量产级别的标准,推动半导体设备、零部件、原材料国产验证,支持产品导入产业应用。
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